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宽光谱InAs/AlGaAs量子点阵列的结构及光学特性

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在GaAs(100)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期的InAs/AlGaAs 量子点阵列结构.室温光致发光(PL)光谱结合透射电镜(TEM)研究显示, AlGaAs做为间隔层和缓冲层可以得到光谱半高宽高达158nm,中心波长位于1.23mm的光致发光.通过与InAs/GaAs量子点结构对比,分析了InAs/AlGaAs量子点阵列结构实现宽光谱光致发光及中心波长红移的原因.

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来源
《2010年第九届中国国际纳米科技（西安）研讨会》|2010年|1-4|共4页
会议地点西安
作者
刘宁; 金鹏; 吕雪芹; 王占国;
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作者单位

中国微米纳米技术学会;

纳米科技编辑部;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
量子点; 分子束外延; AlGaAs间隔层; 宽光谱发光;
入库时间 2022-08-17 10:27:24

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