机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
Memory Array; Electrical interference; 3-D memory device; Read operation; PCI (paired cell interference);
机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
机译:新的读取方案,以减少由于HCI在完全升压通道3-D NAND闪存存储中引起的读取干扰
机译:闪存可擦可编程只读存储设备中的热载流子效应。
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