机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
The authors are with Inter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University, Seoul 151-742, Korea;
memory array; electrical interference; 3-D memory device; read operation; PCI (paired cell interference);
机译:建立用于3-D柱状结构闪存设备的读操作偏置方案,以克服配对单元干扰(PCI)
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