机译:具有Vt取消写入方法的晶体In-Ga-Zn氧化物FET的128kb 4bit /单元非易失性存储器
結晶性酸化物半導体; CAAC-IGZO; CMOS; 4bit/cell; In-Ga-Zn oxide; 不揮発性; RAM; FET;
机译:具有Vt取消写入方法的晶体In-Ga-Zn氧化物FET的128kb 4bit /单元非易失性存储器
机译:后台写入(BGW)方法应用于非易失性混合内存的1Mb STT-MRAM-6T2MTJ单元,该单元已实现1.5ns / 2.1ns的随机读取/写入循环时间。
机译:1.5纳秒/ 2.1纳秒为随机读/非易失性嵌入式存储器来实现的1Mb STT-MRAM的6T2MTJ细胞施加背景写入的写入周期时间(BGW)方法
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机译:通过第一性原理计算使用氮化硅膜的高性能非易失性存储器的设计准则的建议
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