1.5ns／2.1nsのランダム読出／書込サイクル時間を達成した不揮発性混載メモリ用1Mb STT-MRAM－6T2MTJセルにバックグラウンド書き込み（BGW）方式を適用

摘要

CMOSラッチと一対のMTJからなる差動対型メモリセルにおいて、CMOSラッチへ書き込んだデータを用いてMTJを自動的に反転するバックグラウンド書き込み（BWG）方式を適用することによって、2.1nsecという高速な書き込みサイクル時間を実現した1Mb STT-MRAMの設計·試作·評価に関する報告であり、本方式の適用により、L3やし2キャッシュ等の高速混載メモリを不揮発性化してコンピュータのローパワー化を図ることが可能となる。