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集積回路のセキュリティ:故障解析技術を用いた攻撃に対する耐性(III)-代表的なサイド攻撃とこれに必要なリソースおよびスキル

机译:集成电路安全性:使用故障分析技术抵抗攻击(III)-典型的侧面攻击及其所需的资源和技能

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摘要

LSI中のセキュリティ情報を解読するための代表的なサイド攻撃、すなはち、マスクROM、フラッシュメモリおよびバッテリ·バックアップsRAMの記憶内容の解読に関して、その方法、これに必要な解析装置類および解読に必要とされるスキルについて述べるとともにそのランク付けを行った結果を述べる。 マスクROMの解読が最も容易でランクを5級とすると、フラッシュメモリの解読は3級から2級、バッテリ·バックアップsRAMは1級から名人級となった。
机译:对于用于在LSI中解密安全信息的典型的侧面攻击,即用于对掩码ROM,闪存和备用电池sRAM的存储内容进行解码的方法,分析设备以及为此所需的解码。描述所需的技能及其排名结果。假设掩码ROM最容易解密且等级为5,则闪存解密为3级到2级,电池备用sRAM为1级到主级。

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