ヘテロエピタキシャル成長で単結晶ダイヤモンド膜は得ちれるのか

摘要

cBN，Ni，Si，Ir基板の順でダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長に携わってきた筆者の一重要目標は，いうまでもなく「ヘテロエピタキシャル成長で単結晶ダイヤモンド膜を得る」ことである．しかし，ヘテロ成長では，ヘテロ成長であることに起因した「エピタキシヤル核発生」と「コアレッセンス」というホモエピタキシャル成長では本質的に必要ない課題が避けられない．