ИССЛЕДОВАНИЕ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ВЫХОДНЫХ ЗЕРКАЛ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ AlGaAs/GaAs-ГЕТЕРОСТРУКТУР

摘要

Проведено исследование оптических свойств тонких пленок селенида цинка, оксида алюминия и нитрида кремния, полученных электронно-лучевым испарением с использованием ионного ассистирования. Показано, что полученные пленки селенида цинка имеют высокую шероховатость и слабые защитные свойства. С помощью реактивного напыления получены пленки нитрида кремния, повышающие предельную мощность лазеров в 2,5 раза. На примере нитрида кремния показана возможность управления оптическими характеристиками пленок путем изменения параметров процесса напыления. Показано, что пленки оксида алюминия, полученные с помощью ионного ассистирования, повышают предельную мощность лазерных диодов в 2 раза по сравнению с аналогичными пленками, полученными без ионного ассистирования.