p型GaNゲート ノーマリーオフ型AlGaN/GaN Junction HFETのオン抵抗と耐圧

摘要

低損失スイッチングデバイスの実現には、ノーマリーオフ型デバイスのオン抵抗低減が必須である。 また、実用化のためには耐圧の向上が必要である。 p-GaNゲートを有するIII族窒化物半導体ノーマリーオフ型FETの構造変化によるオン抵抗の低減と耐圧のソース·ドレイン間距離依存性を確認した。