(112^^-0)ZnO膜/石英基板 構造のSH型SAW伝搬特性

摘要

これまでに我々は非結晶基板上に(112^^-0)面配向ZnO膜を作製する技術を確立してきた.この膜にIDTを形成すると,SH型SAWが励振される.したがって,この膜を用いればSH型SAWデバイスをSi基板やパイプなど曲面をもつ基体上に集積できる可能性がある.本報告では,ZnO(0°,90°,ψ)膜/石英基板構造において電極配置,ψ角度,膜厚H/λを変化させ電気機械結合係数(K^2)を解析した.その結果,IDT/ZnO(O°,90°,55°)膜/石英基板 構造(H/λ=0.21)において最も高い値(K^2=3.4%)が得られた.さらに,RFマグネトロンスパッタ法により,実際にこの構造のデバイスを作製し,SH型SAWの励振を確認した.