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ZnO衬底外延结构及其制作方法、ZnO衬底芯片结构

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摘要

本发明公开了一种ZnO衬底外延结构及其制作方法，以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In

1. ZnO衬底外延结构及其制作方法、ZnO衬底芯片结构 [P] . 中国专利： CN102522469B . 2014.06.11
2. 一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构 [P] . 中国专利： CN202395023U . 2012-08-22
3. Al ZnO UV Substrate for photodetector comprising heterostructure of Al and ZnO and UV photodetector comprising the same [P] . KR20210148532A . 2021-12-08

机译：用于光电探测器的Al ZnO UV衬底，包括Al和ZnO和ZnO的异质结构和包括相同的UV光电探测器
4. ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate [P] . 美国专利： US7192802B2 . 2007-03-20

机译： ALD ZnO种子层，用于在硅衬底上沉积ZnO纳米结构
5. ALD ZnO seed layer for deposition of ZnO nanostructures on a silicon substrate [P] . 美国专利： US2006091499A1 . 2006-05-04

机译：用于在硅衬底上沉积ZnO纳米结构的ALD ZnO种子层