一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构

摘要

本实用新型公开了一种ZnO衬底外延结构以及含有该外延结构的ZnO衬底芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnO衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In_0.2Ga_0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In_0.49Ga_0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。本实用新型的ZnO衬底外延结构及芯片结构不用涂覆荧光粉，因此从根本上摆脱了荧光粉的束缚，发光质量好、显色性好、提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使从白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。