Магнитные свойства квантовых ям GaAs/δ/GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs

摘要

В диапазоне температур от 3 до 300 К в магнитных полях до 6 Тл исследованы полевая и температурная зависимости намагниченности GaAs/δ/GaAs/In_xGa_(1-x)As/GaAs квантовых ям, в которых δ слой отделялся от квантовой ямы СаАв спейсером толщиной 3 нм Обнаружено, что при температурах менее 40 К происходит индуцированный внешним магнитным полем фазовый переход в ферромагнитное состояние со сдвигом петли гистерезиса намагниченности относительно нулевого магнитного поля Предложена теоретическая модель, предполагающая сосуществование ферро- и антиферромагнитно упорядоченных областей внутри слоев GaAs.