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李国华; 郑宝真; 韩和相; 汪兆平;
半导体超晶格国家重点实验室;
InGaAs/GaAs; 量子阱; 光致发光; 压力;
机译:应变对重要的III-V量子阱的能带偏移的影响:In_xGa_(1-x)N / GaN,GaAs / In_xGaGa(1-x)P和In_xGa_(1-x)As / AlGaAs
机译:GaAs / In_(0.15)Ga_(0.85)As / In_xGa_(1-x)As / GaAs嵌入InAs量子点的量子阱中的发射和弹性应变研究
机译:静水压力和温度对GaAs / In_xGa_(1-x)As / GaAs方形量子阱中氢杂质结合能的影响
机译:In_xGa_(1-x)As量子阱中取向不正确的GaAs(111)B衬底上的应变弛豫行为
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:反射差光谱法观察(001)InGaAs / GaAs单量子阱中的强各向异性禁跃及其在单轴应变下的行为
机译:调整GaAs量子点和不同阱宽的量子阱中经过电学评估的电子Land \ ue9 g因子
机译:18微米截止长波长In_xGa_(1-x)as / Gaas量子阱红外光电探测器
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有可变偏振的应变量子阱结构和具有该应变量子阱结构的光学器件
机译:具有可变偏振依赖性的应变量子阱结构和诱导该应变量子阱结构的光学器件
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