Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAsс квантовыми ямами в квантующих магнитных поляхdHole cyclotron resonance in InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells in high magnetic fields

摘要

Исследованы спектры циклотронного резонанса дырок в селективно-легированных гетероструктурах InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в импульсных магнитных полях до 50Тл при 4.2 К. Подтвержден обнаруженный ранее эффект инвертированного (по сравнению c результатами одночастичного расчета уровней Ландау) соотношения интегральных интенсивностей двух расщепившихся компонент линии циклотронного резонанса, связываемый c эффектами обменного взаимодействия дырок. Обнаружено, что на восходящей и нисходящей ветвях импульса магнитного поля соотношения интенсивностей компонент линии циклотронного резонанса сильно различаются, что может быть связано c большим временем сливовой релаксации дырок между двумя нижними уровнями Ландау, составляющим десятки миллисекунд.