基板加熱成膜により作製したCoPtCr-SiO_2グラニュラ媒体の成長組織および磁気特性

摘要

凹凸Ru下地層上に作製されるCoPtCr-SiO_2グラニュラ媒体中の垂直磁気異方性エネルギーK_u~⊥増大のため，磁性結晶粒の原子拡散促進を意図してグラニュラ媒体の基板加熱成膜を試みた．その結果，基板温度T_(sub)＝343℃にて成膜した媒体では，まず表面が平坦となったRu下地上に，層状に磁性結晶粒がヘテロエピタキシャル成長し，その上に，SiO_2 で被覆された球状の磁性結晶粒が結晶方位をランダムに配向させて析出した組織が形成されることが判明した．さらに凹凸Ru層の平坦化要因を調べたところ，平坦化はRu層中に取り込まれていた酸素原子が加熱により脱離することが誘因となってRu結晶粒が再結晶化することにより生じることが確かめられた．これらのことから，高基板温度下でコラム状成長した磁性結晶粒からなるグラニュラ媒体を得るためには，Ru層からの酸素脱離の抑制が肝要であり，実際に凹凸Ru 下地層上にバッファ層としてCoCr-SiO_2層を積層してから磁性層の基板加熱成膜を実施することによって，T_(sub)=380℃までの高温加熱成膜でもコラム状組織を得ることに成功した．