パワーデバイスと実装の故障解析へのロックインサーモグラフィの応用

摘要

信頼性，スイッチング損失，高速スイッチング特性に優れたMOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）などのパワーデバイスは，パワーエレクトロニクスを支える基幹部品として近年急速にその応用範囲を拡大している。中でも自動車や電車といった交通手段，プラントなどの高い信頼性が要求される分野に用いられる大電力パワーデバイスでは，設計段階での品質?性能確保だけではなく，故障発生時の迅速な原因特定とその対策実施が要求されている。このとき重要となるのが故障解析技術である。