多層セラミック基板を用いたSiCパワーモジュールの低インダクタンス化の効果に関する一検討－基板実装したスナバコンデンサの容量がサージ電圧に与える影響

摘要

本研究では高速スイッチング動作時に生じるピークサージ電圧の低減を目的とした、多層セラミック基板による低寄生インダクタンスSiCハーフブリッジモジュールを開発し、基板上に直接スナバコンデンサを実装する事でサージ電圧を低減できることを確認している［2］。本稿ではさらにサージ電圧のスナバコンデンサ容量依存性の検討を行った。