量子井戸で電子密度と電場を独立操作新規量子ドット超格子の設計に道

摘要

NTT物性科学基礎研究所スピントロニクス研究グループの山口真澄民らは、ドナー層のないガリウムヒ素（GaAs）量子井戸内にゲートによって電子を誘起し、その電子密度と量子井戸中の電場を2つのゲートによって独立に制御できることを実証した。 電子密度と電場は量子井戸に閉じ込められた電子の特性を決定するための重要なパラメーター。