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新的空间调制光谱技术在半导体超晶格量子阱中的应用

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摘要

报道一种通过转动样品来实现空间调制微分反射（ＤＲ）光谱技术，给出ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱和应变ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱在室温下的ＤＲ谱实验测量结果，并与光调制反射谱（ＰＲ）实验和理论计算结果相比较．实验证明ＤＲ谱的信号比ＰＲ谱更强，可达１０－２量级，两者一致并与理论计算结果符合得很好．

著录项

来源
《红外与毫米波学报》|1999年第3期|201-205|共5页
作者
陈辰嘉; 王学忠; 孙允希; 林春; 韩一龙; 李海涛; 蔡明;
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作者单位

北京大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体晶体物理;
关键词
光调制反射; 半导体; 多量子阱; 超晶格; DR光谱;
入库时间 2022-08-21 03:00:10

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