量子ドット中の電子密度分布の観察に成功近接場光学顕微鏡の分解能を3nmに向上

摘要

京都大学化学研究所ナノ量子元素科学領域の松田一成·助教授は近接場光学顕微鏡を改良して、量子ドット中の電子密度分布を観察することに成功した（Fig）。 単一電子による記憶素子として期待される量子ドット素子の開発などに役立つと期待される。 同顕微鏡は短時間の観察時間でも3nm程度の分解能があるのが特徴。従来は、分解能と観察時間はトレードオフの関係にあった。