溶液成長法により作製したn-ZnO/p-CuOへテロ接合の電気的特性の改善－中間層挿入と熱処理

摘要

溶液成長（CBD）法によるn-ZnO/p-CuOへテロ接合形成時にディップコーティング法ZnO （Dip-coating ZnO）層を挿入することでリーク電流が抑制された．n-ZnO/Dip-coating ZnO/p-CuOへテロ接合のJ-V特性から求めた閾値電圧（V_(th)）と理想因子（n）及びC-V特性より求めた拡散電位（V_(bi)）はCuO層ポストアニーリング温度（T_A）によって変化し，T_A＝250℃付近で最小であった．一方，木I_F/I_R（I_Fは順方向電流，I_Rは逆方向電流）はT_A＝225℃以上で低いことから，V_(th)及びV_(bi)の低下はヘテロ界面に形成された界面準位を介したトンネル電流によるものと考えられる．