SiO_2マスクを用いたMOCVD-GaNの転位密度低減に関する研究

摘要

MOCVD法でサファイア上にGaNを成長し、その上にマスク（SiO_2）を蒸着させサファイアまでエッチングを行った後、GaNのEpitaxial Lateral Overgrowth（ELO）成長を行った。その際、エッチング時間を長くするとSiO_2が横方向にエッチングされ、そこが再成長が容易に起こる面となる。KOH 420℃1分間エッチングしたところ、転位密度2.1×10~7cm~(-2)となった。これを何もしていない2μmのGaNで行うと3.0×10~8cm~(-2)であり、1／10 になっている。さらに、ショットキー障壁を形成し、最も転位密度が少ないSiO_2付きが、最も低い逆方向電流を持つことが示された。