230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化

摘要

波長210nm～350nm帯の紫外LED·LDは様々な研究グループで開発が進められている。 しかし発光効率は低く、特に250nm以下の波長帯では報告例も少ない。我々はサファイア基板上で(In)AlGaN多重量子井戸を用いて、波長220～350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。 今回は、1.6nm程度の幅の狭いAlGaN量子井戸を用いることにより、2.6nmの量子井戸の時に比べ約4倍発光強度が増大することを明らかにした。 またAlN電子ブロック層を用いることにより電子のオーバーフローを抑制し、p層からの発光を抑えて量子井戸からの発光が増大することを明らかにした。 これらの工夫により波長234nmにおいて出力0.4mW、外部量子効率0.034％、波長241nmにおいて出力1.13mW、外部量子効率0.084％を室温CW動作において実現した。