240nm帯AlGaN UVC-LEDの高出力化の検討

摘要

220-240 nm帯のUVC-LEDは、ガスセンサーやバイオ医療などへの応用が考えられ、今後の開発が期待されている。しかし、240 nmより短波のUVC-LEDでは、p-AlGaNのホール濃度の低下や、ヘテロバリアの低下が著しいばかりでなく、TM モード発光割合も増加するため、電子注入効率、光取り出し効率が急激に減少し、高出力化が難しくなる。我々は、短波長UVC-LED電子注入効率を向上させるために、電子ブロック層に多重量子障壁(MQB)を用いることが極めて有効であることを以前報告した。今回我々は、240nm帯UVC-LEDにMQB電子ブロック層を導入しサブミリワット出力動作を得たので報告する。