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カーボンナノチューブの光特性とフォトニクスへの応用:単層カーボンナノチューブからの発光

机译:碳纳米管的光学特性及其在光子学中的应用:单层碳纳米管的发射

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摘要

単層カーボンナノチューブ(Single walled carbon nanotubes, SWNTs)の発光(photoluminescence, PL)測定は,SWNTsの物性評価のための強力な測定法として現在大きな注目を集めている。 PL測定において励起光をスキャンして半導体SWNTsのそれぞれの幾何構造(カイラリティ)に対応する発光強度を個別に捕らえることにより,従来不可能であったバルク試料中の半導体SWNTsのカイラリティ存在比に関する情報を得ることができる。一方,ナノチューブの非線形光学特性,高速な発光の緩和,フォノンサイドバンドなどの研究を通じて,一次元物体の電子·電子相互作用,励起子·フォノン相互作用などの基礎物理と応用が次々に明らかにされている。本報2節ではSWNTsのPLマッピングについて概説し,アルコールCVD法によって合成されたSWNTsとHiPco法によって合成されたSWNTsの近赤外蛍光分光によるカイラリティ分布比較について紹介する。 アルコールCVD法の場合には,HiPco法に比べて直径の分布が狭く,アームチェア型に近いナノチューブの割合が多いことが明らかとなった。 本報3節では,13{sup left}C同位体置換アルコールから合成したSW{sup}13CNTsのラマン分光および蛍光励起スペクトル(Photoluminescence excitation spectra, PLE)測定により,励起子-フォノン散乱に対応するフォノンサイドバンドピークを同定する。 さらに,ゼラチン薄膜中に孤立分散を保ったまま配向させたSWNTsの偏光PLE測定から,ナノチューブ軸に垂直な偏光による励起に対応するPLピークの特定について議論する。
机译:作为评估SWNTs物理性能的强大测量方法,单壁碳纳米管(SWNTs)的光致发光(PL)测量目前引起了广泛的关注。通过在PL测量中扫描激发光并分别捕获与半导体SWNT的每个几何结构(手性)相对应的发射强度,可以获得过去无法获得的关于大体积样品中半导体SWNT的手性丰度比的信息。可获得的。另一方面,通过对纳米管的非线性光学性质,高速发射弛豫和声子边带的研究,一维物体的基本物理和应用,如一维物体的电子-电子相互作用和激子-声子相互作用,已经一目了然。 ing。本报告的第2节概述了单壁碳纳米管的PL映射,并介绍了通过近红外荧光光谱法比较通过醇CVD法合成的单壁碳纳米管和通过HiPco方法合成的单壁碳纳米管的手性分布。在醇CVD法的情况下,直径的分布比HiPco法窄,并且很明显,接近扶手椅型的纳米管的比例大。在本报告的第3节中,通过拉曼光谱法和由13个{sups} C同位素取代的醇合成的SW {sup} 13CNTs的光致发光激发光谱(PLE)测量来测量与激子-声子散射对应的声子。识别边带峰值。此外,我们将讨论从取向的SWNT的极化PLE测量中识别与垂直于纳米管轴的极化激发相对应的PL峰,这些极化的取向是在明胶薄膜中保持隔离分散的同时。

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