...
机译:为轻掺杂对称双栅极MOSFET的漏极电流及其方程参数建模
double gate MOSFET; 2D potential distribution model; drain current model;
机译:为轻掺杂对称双栅极MOSFET的漏极电流及其方程参数建模
机译:单栅MOSFET,未掺杂对称和非对称双栅SOI MOSFET的漏电流模型和量子力学效应:综述
机译:单栅MOSFET,未掺杂对称和非对称双栅SOI MOSFET的漏电流模型和量子力学效应:综述
机译:薄体无掺杂和轻掺杂双栅MOSFET的漏极电流模型
机译:双栅极MOSFET的紧凑模型。
机译:具有位置载流子散射相关性的准弹道漏电流电荷和电容模型对纳米级对称DG MOSFET有效
机译:漏极电流模型,包括对称双栅极MOSFET的速度饱和
机译:用于VLsI(超大规模集成)mOsFET的改进的轻掺杂漏极结构