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局部轻掺杂漏注入屏蔽的MOSFET静电泄放保护结构

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摘要

本发明公开了一种局部轻掺杂漏注入屏蔽的MOSFET静电泄放保护结构；在漏源注入区下方局部有轻掺杂漏注入屏蔽区；在沟道长度方向低掺杂漏注入区与栅极保持一定距离；在沟道宽度方向低掺杂漏注入区与栅极保持一定距离。本发明在不增加光刻层次的前提下，保持原有ESD结构的能力不变同时减小了ESD器件尺寸。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-20

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/08 申请公布日:20120321 申请日:20100831

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-02-05

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/08 变更前: 变更后: 登记生效日:20140109 申请日:20100831

专利申请权、专利权的转移
2012-05-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/08 申请日:20100831

实质审查的生效
2012-03-21

公开

公开

1. 局部轻掺杂漏注入屏蔽的MOSFET静电泄放保护结构 [P] . 中国专利： CN102386214A . 2012-03-21
2. 应用高电压轻掺杂漏极的互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护 [P] . 中国专利： CN101587894A . 2009-11-25
3. PRODUCTION METHOD FOR ION-IMPLANTED MOSFET COMPRISING SELF-ALIGNED LIGHTLY DOPED DRAIN STRUCTURE AND T-GAT [P] . 韩国专利： KR0161201B1 . 1998-12-01

机译：具有自对准轻掺杂漏极结构和T-GAT的离子注入MOSFET的生产方法
4. Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions [P] . 美国专利： US5246872A . 1993-09-21

机译：静电放电保护装置和同时形成具有轻掺杂和非轻掺杂源极和漏极区的MOS器件的方法
5. Electrostatic discharge protection device and a method for simultaneously forming MOS devices with both lightly doped and non lightly doped source and drain regions [P] . 美国专利： US5208475A . 1993-05-04

机译：静电放电保护装置和同时形成具有轻掺杂和非轻掺杂源极和漏极区的MOS器件的方法