机译:InAlGaAs和GaAs组合势垒厚度对MBE生长的InAs / GaAs量子点异质结构堆叠层中点形成持续时间的影响
MBE; Multilayer QD Stack; Combination Cap; Dot Formation Time;
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机译:异位退火对四元合金(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结构的影响,随着生长速率,势垒厚度和种子量子点单层覆盖率的变化,优化了光电和结构性能
机译:叠层InAs量子点与InAlGaAs和高温生长的GaAs的组合封顶
机译:生长速度和势垒厚度对具有四级(InAlGaAs)封盖的InAs / GaAs量子点异质结结构的光致发光热稳定性的影响
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:MBE在单个和堆叠层中发射13μm的INAS / GaAs量子点的生长优化和光谱