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机译:高k /金属栅堆叠的背面和正面高级化学分析
Metal/high-k stack; HfO2; Backside analysis; XPS; Auger depth profiling; ToF-SIMS;
机译:高k /金属栅堆叠的背面和正面高级化学分析
机译:基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
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机译:超薄高k /金属栅极堆叠表征的终极背面样品制备
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:基于Hf的高K栅极电介质和金属栅极叠层,用于高级CMOS器件
机译:用于混合阴离子砷化物 - 锑化物量子阱晶体管的高级复合高k栅堆叠