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Radiation-Induced Defect Reactions in Cz-Si Crystals Contaminated with Cu

机译:铜污染的Cz-Si晶体中的辐射诱导缺陷反应

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摘要

The influence of Cu contamination on radiation-induced defect reactions in n-type Czochralski-grown silicon (Cz-Si) crystals has been studied by means of the Hall effect technique, deep level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS with supporting theoretical modeling of defects.
机译:借助霍尔效应技术,深能级瞬态光谱法(DLTS)和高分辨率Laplace DLTS与支持缺陷的理论建模。

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