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机译:Cu污染的Cz-si晶体中辐射诱导的缺陷反应
V. P. Markevich; A. R. Peaker; I. F. Medvedeva; V. E. Gusakov;
机译:铜污染的Cz-Si晶体中的辐射诱导缺陷反应
机译:掺锡锗晶体中的辐射诱导缺陷反应
机译:用Cu污染的CZ-Si晶体中的辐射诱导的缺陷反应
机译:Cu2ZNSNSE4单晶和薄膜缺陷的制造和修饰
机译:通过诱导强烈的晶体缺陷和缺陷声子散射来提高p型重掺杂Cu的多晶SnSe的热电性能
机译:用高能电子照射后CZ-Si单晶中缺陷的显性型缺陷的测定
机译:通过分子动力学模拟研究了Cu3au和Ni3al的辐射诱导无序和缺陷产生
机译:用于识别晶体缺陷区域的污染铜的装置和方法
机译:检测单晶硅中的缺陷包括例如提供单晶硅样品,用镍,钯或铂污染样品,对污染的样品进行热处理,然后冷却样品
机译:化学转运反应从氯化铜-溴化五硫代磷酸铜Cu6PS5Cl0,5Br0,5的固溶体中生长单晶的方法
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