机译:利用Au + Ga合金的MOCVD法在Si(111)衬底上生长的GaN纳米柱的生长和表征
MOCVD; GaN on Si(111); nano-column; Au catalyst; OEIC;
机译:利用Au + Ga合金的MOCVD法在Si(111)衬底上生长的GaN纳米柱的生长和表征
机译:金属有机化学气相沉积Au + Ga合金种子法在Si(111)衬底上生长的自组装GaN纳米柱
机译:使用Pt + Ga合金和MOCVD法在Si(111)衬底上生长GaN纳米柱
机译:MOCVD使用Au + Ga合金播种法在Si(111)基底上生长的GaN纳米柱的生长和表征
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:用Al预播种AlN缓冲液在SiC / Si(111)衬底上生长的GaN薄膜的生长和表征
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻