机译:沉积后退火温度对磁控溅射型负金属离子源制备的ITO薄膜光电性能的影响
机译:沉积后退火温度对磁控溅射型负金属离子源制备的ITO薄膜光电性能的影响
机译:沉积后退火对射频磁控溅射制备VO_(2-x)薄膜的金属-绝缘体转变的影响
机译:高功率脉冲磁控溅射P型γ-氧化钛薄膜:基板偏压和后退火对微观结构特性和光电性能的影响
机译:沉积退火温度对磁控溅射型负金属离子源制备的ITO薄膜光电性能的影响
机译:非垂直入射反应磁控溅射制备的金属氮化物(氮化铝,氮化钛,氮化ha)薄膜的织构演变。
机译:前驱体C2H2分数对磁控溅射沉积制备的含Si和Ag的非晶碳复合膜的组织和性能的影响
机译:退火后温度对射频磁控溅射制备ZnO薄膜性能的影响