机译:使用28nm技术节点制造的高k金属栅极场效应晶体管的电容瞬态光谱测量
Capacitance transient spectroscopy; HKMG; interface trap density; device characterization.;
机译:使用28nm技术节点制造的高k金属栅极场效应晶体管的电容瞬态光谱测量
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机译:通过栅漏电容测量评估亚微米n(金属氧化物半导体场效应晶体管)中热孔诱导的界面态和俘获的载流子