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具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法

摘要

公开了一种制造FET金属栅极的方法,其中金属栅极包括至少一部分通过电镀淀积的材料,FET器件包括至少部分镀覆的金属栅极。还公开了一种制造FET金属栅极的方法,其中金属栅极包括至少一部分镀覆的材料,并且该方法包括以下步骤:选择具有上表面和凹陷区的衬底;在衬底上保形淀积薄导电籽层;以及在籽层上电镀填充栅极金属,填充并过填充凹陷区。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-12-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 授权公告日:20080123 终止日期:20101022 申请日:20041022

    专利权的终止

  • 2008-01-23

    授权

    授权

  • 2005-07-06

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-05-04

    公开

    公开

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