Dummy oxide removal in high-k last process integration - How to avoid silicon corrosion issue

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• 来源
  《Diffusion and Defect Data. Solid State Data, Part B. Solid State Phenomena》 |2013年第null期|共4页
• 作者

  Sebaai F.; Veloso A.; Takahashi H.; Pacco A.; Claes M.; Schaekers M.; Gendt S.D.; Mertens P.W.; Struyf H.;

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• 作者单位

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• 收录信息
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 半导体物理学;
• 关键词

  Controlled over etch; Diluted HF; Dummy oxide removal; Galvanic corrosion; High-k last; Influence of NiPt silicide; RMG; Trenching;

  机译：控制刻蚀;稀释HF;去除假氧化物;电偶腐蚀;高k最后;NiPt硅化物的影响;RMG;刻蚀;