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机译:4H-SiC外延层中位错引起的表面生长坑的隧道原子力显微镜研究
Silicon carbide; epitaxial layer; dislocation; surface growth pit; tunneling atomic force microscopy (TUNA);
机译:4H-SiC外延层中位错引起的表面生长坑的隧道原子力显微镜研究
机译:在扫描隧穿和原子力显微镜研究过程中,尖端诱导在重建的6H-SiC(0001)表面上生长的外延石墨烯的机械变形
机译:4H-SiC衬底上具有邻角倾斜的外延层生长过程中基面位错向螺纹边缘位错的转换
机译:衬底制备和外延生长参数对4H-SiC外延层中位错密度的影响
机译:使用扫描隧道显微镜和原子力显微镜表征金表面有机单层:与宏观结构性质的关系
机译:活拟南芥细胞的原子力显微镜刚度层析成像揭示了生长过程中表面和深层细胞壁的机械性能
机译:扫描隧道在纳米脊中诱导原子尺度运动 在4H-siC(0001)上生长的外延石墨烯的显微镜
机译:使用扫描隧道显微镜和原子力显微镜与宏观结构特性相关的金表面有机单层的表征