机译:晶圆键合技术在SiO↓(2)结构上制备低缺陷密度3C-SiC
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机译:晶体硅晶片上的超薄氧化硅层:具有低缺陷密度的化学突变SiO2 / Si界面方面先进氧化技术的比较
机译:真空晶圆键合技术是制造金属/半导体异质结构的替代方法
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机译:晶格失配材料的无力晶圆键合:极低暗电流光电探测器的制造。
机译:半导体晶圆键合技术在硅/石墨烯/硅双异质结构的制备中的应用
机译:使用mBE生长的Gaas晶片与si晶片的低温键合在si上制造Gaas激光二极管
机译:使用晶片键合技术创建无缺陷高Ge含量(25%)siGe-on-Insulator(sGOI)衬底的方法。