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公开/公告号CN111290148A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 联合微电子中心有限责任公司;
申请/专利号CN202010102693.0
发明设计人 胡志朋;邵斯竹;肖志雄;吴月;朱兴国;冯俊波;郭进;
申请日2020-02-19
分类号
代理机构重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人罗庆
地址 400030 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
入库时间 2023-12-17 09:42:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G02F1/015 申请日:20200219
实质审查的生效
2020-06-16
公开
机译: 光学调制器利用晶圆键合技术
机译: 利用晶圆键合技术的光调制器
机译:使用Al2O3 / HfO2键合界面对高性能Si高k MOS光学调制器进行直接晶圆键合时减少空隙的研究
机译:可与晶圆耦合器集成的晶圆级可测试高速硅微环调制器
机译:通过晶圆级工艺制造的基于GaAs的多量子阱空间光调制器
机译:通过直接晶圆键合制造的极高调制效率iii-v / si混合mos光学调制器
机译:新型1.3微米高速直接调制半导体激光器件设计以及用于顺应性衬底制造的晶圆键合技术的发展。
机译:基于硅衬底纳米结构的光可调太赫兹调制器
机译:用于微结构形成的晶圆 - 晶圆键合
机译:用于晶圆键合的晶圆清洗和预粘接模块