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机译:一种在低温下提取增强型SOI MOSFET中掩埋氧化物/下层衬底界面有效陷阱密度的新方法
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机译:从依赖于衬底偏置的亚阈值斜率提取短沟道MOSFET接口陷阱密度的新方法
机译:FDSOI MOSFET中用于正面和掩埋氧化物陷阱密度表征的新的数值低频噪声模型
机译:在低温下在累积模式somosfet's中掩埋的氧化物/硅衬底界面处的氧化物电荷的提取
机译:金属氧化物半导体器件中硅/二氧化硅界面粗糙度和界面捕获电荷的低温测量。
机译:使用低温气相陷阱热化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的Zno微米/纳米结构:结构和光学性质
机译:一种从基板偏压依赖性亚阈值中提取在短通道MOSFET中的接口陷阱密度的新方法