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机译:使用外延金刚石层制造p-i-p场效应晶体管的亚微米源漏间隙
Diamond; p-i-p transistor; FET; Space-charge-limited current;
机译:使用外延金刚石层制造p-i-p场效应晶体管的亚微米源漏间隙
机译:利用电子束蒸发的SiO 2 sub>和Al 2 sub>在硼掺杂(111)H端接的表面上制备亚微米级栅长的金属-氧化物-金刚石场效应晶体管> O 3 sub>
机译:外延双层石墨烯场效应晶体管带隙的观察
机译:亚微米外延层和RTA技术用于超高速双极晶体管
机译:开发用于隧道场效应晶体管的深亚微米制造工艺。
机译:高性能金刚石三栅场效应晶体管的设计与制造
机译:高质量CVD金刚石的电气性能 P i> - I i> - P i>在高电场的结构
机译:具有p掺杂表面层的alGaas / InGaas假晶调制掺杂场效应晶体管的制作