UHV/CVD生长亚微米薄硅外延层制备高频肖特基势垒二极管

摘要

采用自行研制的新一代超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,在550℃下,N型重掺Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层,并利用扩展电阻(SRP)和摇摆曲线对外延层进行了检验和评定.结果表明,外延薄膜质量较好,没有明显的位错和缺陷,外延层厚度为0.5μm,掺杂浓度为重掺10<'17>cm<'-3>,界面过渡区陡峭.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件,截止频率达到31GHz,与传统的硅基肖特基二极管相比有了大幅提高.