二极管:按作用分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有303篇,会议文献有67篇,学位文献有125篇等,二极管:按作用分的主要作者有郭维廉、高勇、张世林,二极管:按作用分的主要机构有天津大学电子信息工程学院、西安理工大学电子工程系、西安理工大学应用物理系等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 太赫兹波独特的性质使其在物理学、生物学、医疗诊断、无损检测、无线通信等领域有着广阔的应用前景。共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿效应的半导体器件,利用...
2.[期刊]
摘要: 介绍了直流试送仪在故障查找中存在反送电危及人身和设备的重大风险,并分析了相关原因。通过利用高压二极管的单向导通原理,将其加装于直流试送仪引出线中实现反送电。可...
3.[期刊]
摘要: 为研究车用功率二极管的损坏机制、实现较高的动态雪崩耐量,利用Silvaco TCAD软件对一般中小型斜面终端结构二极管进行动态仿真分析。通过对器件动态损坏机制...
4.[期刊]
摘要: 单相与三相二极管整流器属于不可控整流器,具有显著的非线性特性,在整流过程中由存在许多不同的地方,属于教学难点。借助MATLAB/Simulink,对单相与三相...
5.[期刊]
杂质纵向高斯分布UTBB-SOI MOSFET的虚拟阴极阈值电压解析模型
摘要: 采用Sentaurus Process工艺仿真工具,验证了超薄硅膜内单次纵向离子注入并快速热退火后所实现的轻掺杂杂质分布符合高斯规律.设计杂质纵向高斯分布的轻...
6.[期刊]
摘要: 本文研究制备了应用于中红外波段的液晶光学移相器,选用在中红外波段具有高透过率的蓝宝石作为基底,超薄氧化铟锡(ITO)薄膜作为透明电极,低吸收的中红外液晶作为介...
7.[期刊]
摘要: 为实现反向阻断特性和正向导通压降的折衷优化、提高单极型二极管功率,通过增加结型势垒控制肖特基二极管P柱区域结深,在JBS二极管中引入超级结结构.以300 V耐...
8.[期刊]
摘要: 半导体器件电学法结温测试过程中,校温过程同测温过程的热分布状态存在差异,导致串联电阻阻值不一致,是影响脉冲电流方法结温测试准确性的重要原因.以功率二极管为研究...
9.[期刊]
摘要: PN结边缘处存在的电场拥挤现象一直是限制器件耐压提升的关键原因.以缓解PN结边缘处的电场拥挤现象为目的,一种具有复合介质层的垂直GaN基梯形二极管被提出.该结...
10.[期刊]
摘要: 采用传统选择系统未考虑到参数控制内容,导致单个元件和多个元件几何参数选择精准度较低,为了避免该问题,提出了基于多层模糊控制的元件几何参数的选择系统设计,根据系...
11.[期刊]
摘要: 文章介绍了工艺生产过程中常用的在线氧气分析测量方法、原理及其特点,重点阐述了可调谐二极管激光在线氧气分析测量技术,以及在工艺生产过程中的典型应用.
12.[期刊]
摘要: 介绍了一种基于新型高功率超高速半导体断路开关—漂移阶跃恢复二极管(DSRD)和可饱和脉冲变压器的高电压高重频超高速全固态脉冲源.设计了脉冲源的电路拓扑结构,理...
13.[期刊]
摘要: 介绍了一种0. 18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的新型宽光谱荧光相关谱探测器,其为高边缘击穿、扩展光谱和低暗计数率的圆形单光子雪崩二极管(SPAD...
14.[期刊]
摘要: 在机顶盒电源板输出线路上设置过压保护电路,当电源电路出现故障、输出高电压时,短路输出线路使开关电源停振,阻止故障范围扩大,避免了更大的经济损失.机顶盒过压保护...
15.[期刊]
摘要: 针对风电变流器功率模块设计风电IGBT模块动态测试试验,提出一种基于通断延迟时间的结温探测模型.采用双脉冲法二极管钳位电路以及恒温控制底板加热设备,控制IGB...
16.[期刊]
摘要: 手机等消费电子充电电路由于充电电流、电压越来越高以及安全性和可靠性的要求,需要使用低钳位电压的浪涌防护TVS产品来满足VBUS端口保护需求.配合OVP组成保护...
17.[期刊]
摘要: In order to further diminish the size of SPAD detector,the guard ring size of p...
18.[期刊]
摘要: A 0.18 μm CMOS process single photon avalanche diode (SPAD) was examined in thi...
19.[期刊]
摘要: 基于玻璃钝化结构的梁式引线集成器件机械强度高、寄生参数小,在高频检波、混频电路中有重要应用。通过梯度式腐蚀法获得了V型玻璃槽结构,采用低应力玻璃钝化工艺实现槽...
20.[期刊]
摘要: 该文针对电压源变频器整流电路,逐级搭建试验回路进行试验,并运用仿真软件进行仿真,对其中的二极管失效原因及影响因素进行了分析研究,并提出改善措施。
1.[会议]
摘要: 本文提出一种高性能硅基AlGaN/GaN绝缘栅混合阳极功率二极管(MG-HAD).MG-HAD中由欧姆接触和肖特基绝缘栅(MIS-Gate)构成混合阳极,通过...
2.[会议]
摘要: 本文重点研究了沟槽型金属-氧化物-半导体势垒肖特基整流器与平面型金属一氧化物一半导体势垒肖特基整流器两种新型低正向整流器件的结构、机理,并与传统肖特基整流器件...
3.[会议]
摘要: 功率半导体器件静电放电及雪崩耐量对器件性能及坚固性的影响在应用中至关重要.采用简明分段线性电流源,分别对功率快恢复二极管反偏ESD过程及雪崩耐量进行仿真计算,...
4.[会议]
摘要: 新型低阳极二极管通过孔注形成"波浪形"有源区结构,实现高掺杂P区和低掺杂P区具有规律性的浓度梯度变化,从而保证器件工作过程中电流的均匀性和低漏电流.此结构在制...
5.[会议]
摘要: 回顾了螺栓型整流二极管、晶闸管的发展历程;介绍了IR公司的十种标准螺栓型器件;在新形势下,叙述了晨伊公司在IR公司基础上,采用的低功耗芯片结构、PN结终端大正...
6.[会议]
摘要: 介绍了利用大功率半导体激光二极管触发3 mm间隙GaAs光导开关、产生非线性电脉冲输出的实验,激光二极管输出功率为70W,上升前沿约20ns,脉冲半高宽(FW...
7.[会议]
摘要: AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器...
8.[会议]
摘要: 为了能够获得性能良好、击穿稳定的高压功率超快恢复二极管,本文对场板和场限环两种终端保护结构进行了充分的理论分析和仿真研究,对环间距、场板厚度、场板长度等影响击...
9.[会议]
摘要: 本文介绍了快恢复二极管的反向恢复时间及软度因子的定义,分析了软恢复特性的影响因素,着重介绍了提高器件软度因子的工艺方法.结果表明:n缓冲层对二极管的反向恢复特...
10.[会议]
摘要: 半导体技术的快速发展,电子线路元器件日趋低压化,担当保护电子线路安全、瞬间过压抑制的硅二极管的需求量与日俱增.本文提出一种保护电压范围低于10伏之高可靠低压保...
11.[会议]
摘要: 毫米波和亚毫米波具有某些特定的性质,并在太赫兹领域的具有很宽广的应用领域,尤其在国防、安检、成像方面已有突出的作用。本文介绍基于耿氏效应的器件在太赫兹领域的研...
12.[会议]
摘要: 为了进一步理解自开关器件的基本工作原理和电学特性,本文对自开关器件进行了器件和电学特性的模拟。通过对器件施加不同偏压,得到了沟道内部电势分布图,分析了器件的整...
13.[会议]
摘要: 采用二维数值仿真工具对带刻蚀型结终端扩展(JTE)的4H-SiC结势垒控制肖特基二极管(JBS)进行研究,研究了单步和多步JTE对器件反向阻断电压和击穿时器件...
14.[会议]
摘要: 本文提出了一种新型低开启电压快恢复二极管.理论分析了这种二极管的原理,建立了该器件的正向压降的解析式.对此二极管进行模拟仿真分析,表明:在相同耐压下, 本文所...
15.[会议]
摘要: 采用混合集成技术,把由六个超快恢复二极管(FRED)芯片组成的三相整流桥和一个作为开关的晶闸管(SCR)芯片混合集成在一个PPS外壳内,制成了“三相FRED整...
16.[会议]
摘要: 小型全固态高重频高压纳秒脉冲源器件是脉冲功率技术重要的研究方向.光电导开关具有全固态、无晃动,兼顾带宽与功率的特点,在脉冲功率技术领域具有独特的地位.然而光电...
17.[会议]
摘要: 研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关.研制了基于射频MOSFET的激光二极管驱动电路,可以...
18.[会议]
摘要: 主要研究了低阻抗强流二极管中的束流运动规律.给出了适合不同驱动源的1欧姆低阻抗强箍缩二极管的理论设计结果和相关参数;分析了二极管束流自磁场及其引起的箍缩情况,...
19.[会议]
摘要: 在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难.为了解决这一问题,以某型单向TVS二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息.通...
20.[会议]
摘要: 文章介绍了脉冲功率技术及其应用,简述了新型半导体切断开关器件—漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作机理,给出了最新的DSRD器件产品水平,重点推介了基于psD...
1.[学位]
摘要: 随着科技水平的发展,半导体器件在各行各业已经得到了广泛的应用,无论是在日常生活中,还是在国防科技领域,都可以看到半导体器件的元素。在电子类产品、汽车行业以及其...
2.[学位]
摘要: 在微波领域,有源器件如PIN二极管、变容二极管在有源频率选择表面(AFSS)及其吸波结构中备受关注,由于这些器件存在寄生效应,对AFSS的建模仿真工作造成影响...
3.[学位]
摘要: 针对目前市场上二极管HTIR在线测试系统的空白,本文提出了一种新的HTIR在线测试方法,采用了一种新的高温自热的方式,彻底改变了以往必须采用高温箱加热,从而无...
4.[学位]
摘要: 由于LED与其他传统光源相比,具有启动快、能耗低、使用寿命长、方向性好、环保等优点,被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源,被广泛应用于各种电子设备,如电...
5.[学位]
摘要: 在过去的十年中,氮化镓(GaN)材料获得了越来越多的关注和研究,因为它具有比Si材料更高的禁带宽度和热导率,尤其是GaN异质结器件,拥有高密度的二维电子气和很...
6.[学位]
摘要: 随着电力电子系统不断发展,逆变模块的重要性日益剧增,其作用为将直流电转化为交流电。在逆变模块中,需要快恢复二极管与开关管并联,以传导续流电流。本文旨在设计一款...
7.[学位]
摘要: 近年来随着通信系统以及雷达等无线系统的迅猛发展,小型化和高性能的射频微波器件变得越来越重要,在传统无线系统中,混频器与振荡器作为现代通信系统中所必须的重要器件...
8.[学位]
摘要: 目前日益突出的环境问题,让人们更加注重发展绿色环保产业。节能减排,减轻环境污染己经成为全社会的责任。使用性能优越的电力半导体器件来提高能源效率也成为半导体行业...
9.[学位]
摘要: 砷化镓(GaAs)光电导开关非线性工作模式的发现,使所需的触发光能量比线性工作模式低3到5个数量级,使激光二极管等小型光源替代大型激光器触发光电导开关产生强电...
10.[学位]
摘要: 高频电力电子技术的快速发展对电路中常用主开关器件(如IGBT、GTO及IGCT等)的性能要求不断提升,同时要求与之配套使用的续流二极管具有优良的电学性能和较高...
11.[学位]
摘要: 在新型电力电子器件的应用中,都需要一个快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)续流。随着IGBT功率模块的广泛应用,对其中续流二极管的电...
12.[学位]
摘要: 2500V/2A的快恢复二极管具有导通电压低、开关时间短、体积小(直径仅为3mm)等优点,在航天航空及军事领域有着广泛且重要的应用。本文通过分析影响二极管的静...
13.[学位]
摘要: SiC MOSFET的导通电阻低、开关损耗小,使得SiC MOSFET逆变器的逆变效率更高、体积更小。本文基于三电平并网逆变器完成了SiC MOSFET的应用...
14.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、热导率高以及抗辐射位移能高等优点,成为制备高温、高频、大功率和抗辐射电力电子器件极具潜...
15.[学位]
摘要: 随着对太赫兹波的研究越来越深入,太赫兹技术被应用于军事医疗安全等各个领域当中。由于缺少合适的太赫兹源和太赫兹探测器,太赫兹波(0.1~10THz,1THz=1...