机译:使用栅极至通道电容测量的钻石MOSFET通道迁移率评估
Diamond; MOSFET; Mobility; C-V measurement;
机译:使用栅极至通道电容测量的钻石MOSFET通道迁移率评估
机译:界面陷阱和边界陷阱对InGaAs MOSFET中电流-电压,电容-电压和Split-CV迁移率测量的影响
机译:使用结电容测量消除沟道电流对MOSFET阈值电压表征的影响
机译:亚微米MOSFET的闭式频率相关栅极至通道电容模型
机译:锗PMOS中的栅极间寄生电容最小化和源极-漏极泄漏评估。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响