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Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96
Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96
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1.
Refined Analytical Model of Combined Thermionic Emission and Drift-Diffusion Current Flow through Schottky Structure
机译:
通过肖特基结构的热电子发射和漂移-扩散电流组合的精细分析模型
作者:
Racko J.
;
Donoval D.
;
Wachutka G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
2.
Investigation of thermally generated leakage currents in silicon pn-junctions by means of 2D-Device Simulations
机译:
通过2D器件仿真研究硅pn结中热产生的泄漏电流
作者:
Waschul S.
;
Kampmann A.
;
Laur R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
3.
Improved Description of GAA (Gate-All-Around) MOSFET I-V Characteristics
机译:
GAA(全能门)MOSFET I-V特性的改进描述
作者:
Jurczak M.
;
Jakubowski A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
4.
An Efficient Numerical Approach to the Physics-Based Sensitivity Analysis of Bipolar Semiconductor Devices
机译:
基于物理的双极半导体器件灵敏度分析的有效数值方法
作者:
Guerrieri S. Donati
;
Bonani F.
;
Pirola M.
;
Ghione G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
5.
2-D Modelling and Optimisation of Trench Insulated Gate Bipolar Transistors (TIGBT)
机译:
沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的二维建模和优化
作者:
Udrea F.
;
Amaratunga G.A.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
6.
Hydrodynamic Modeling of Transport and Noise Spectra in n
+
nn
+
Semiconductor Structures
机译:
n
+ sup> nn
+ sup>半导体结构中的输运和噪声谱的流体力学建模
作者:
Reggiani L.
;
Shiktorov P.
;
Gruzinskis V.
;
Starikov E.
;
Varani L.
;
Gonzalez T.
;
Martin M.J.
;
Pardo D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
7.
Modelling of Insulated Gate Bipolar Transistors with Buffer-Layers
机译:
带缓冲层的绝缘栅双极晶体管建模
作者:
Brunner H.
;
Kapels H.
;
Porst A.
;
Silber D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
8.
Electrical Modelling of Silicide Ohmic Contacts for MOS Devices
机译:
MOS器件的硅化物欧姆接触的电气建模
作者:
Reeves G. K.
;
Holland A. S.
;
Harrison H. B.
;
Leech P. W.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
9.
All-Silicon Phase-Amplitude Integrated Optical Modulator based on a BMFET Structure
机译:
基于BMFET结构的全硅相位振幅集成光调制器
作者:
Breglio Giovanni
;
Cutolo Antonello
;
Iodice Mario
;
Spirito Paolo
;
Zeni Luigi
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
10.
Light-Addressable Potentiometric Sensors ÃÂÿ Model and Experiments
机译:
光寻址电位传感器ƒ,模型和实验
作者:
Colalongo L.
;
Verzellesi G.
;
Passeri D.
;
Lui A.
;
Rudan M.
;
Ciampolini P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
11.
Shallow Trench Isolation for High Density Flash Memories
机译:
浅沟槽隔离,可实现高密度闪存
作者:
Deleonibus S.
;
Heitzmann M.
;
Gobil Y.
;
Martin F.
;
Demolliens O.
;
Guillaumot B.
;
Candelier P.
;
Guibert J.C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
12.
Shallow Trench Isolation for Sub 1/4 Micron CMOS Technologies
机译:
低于1/4微米CMOS技术的浅沟槽隔离
作者:
Sallagoity P.
;
Paoli M.
;
Haond M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
13.
Electrical and Morphological Characterization of Sub-Micron Silicon Devices
机译:
亚微米硅器件的电学和形态学表征
作者:
Spinella Corrado
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
14.
Domain Decomposition Method Applied to 3D Finite Element Process Simulation
机译:
领域分解方法在3D有限元过程仿真中的应用
作者:
Herbaux J.
;
Brocard D.
;
Baccus B.
;
Senez V.
;
Bozek S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
15.
Optimization and Comparison of Losses in Si and 4H SiC 1kV Trench MOSFETs
机译:
Si和4H SiC 1kV沟道MOSFET损耗的优化和比较
作者:
Bakowski M.
;
Gustafsson U.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
16.
EBIC Analysis of SiC Mesa Diodes
机译:
SiC台面二极管的EBIC分析
作者:
Jargelius M
;
Gustafsson U
;
Bakowski M
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
17.
Laser-Induced Gratings and Hot-Carrier Dynamics in III-V Semiconductors
机译:
III-V半导体中的激光感应光栅和热载流子动力学
作者:
Starikov E.
;
Shiktorov P.
;
Gruzinskis V.
;
Subacius L.
;
Jarasiunas K.
;
Reggiani L.
;
Varani L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
18.
High Speed Three-Terminal Laser Modulation using Electron Extraction via Resonant-Tunneling Structure
机译:
共振隧道结构利用电子提取的高速三端子激光调制
作者:
Ryzhii M.
;
Ryzhii V.
;
Khmyrova L
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
19.
Modeling Surface Scattering Effects in the Solution of the BTE based on Spherical Harmonics Expansion
机译:
基于球谐函数展开的BTE解决方案中的表面散射效应建模
作者:
Vecchi M. C.
;
Greiner A.
;
Rudan M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
20.
Efficient Full Band Monte Carlo Hot Carrier Simulation for Silicon Devices
机译:
硅器件的高效全频带蒙特卡洛热载波仿真
作者:
Jungemann Chr.
;
Yamaguchi S.
;
Goto H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
21.
Monte Carlo Simulation of Electron Transport in Si: The First 20 Years
机译:
硅中电子传输的蒙特卡洛模拟:前20年
作者:
Fischetti M. V.
;
Laux S. E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
22.
Self-Aligned Metal/IDP Si Bipolar Technology with 12-ps ECL and 45-GHz Dynamic Frequency Divider
机译:
具有12ps ECL和45GHz动态分频器的自对准金属/ IDP Si双极技术
作者:
Washio Katsuyoshi
;
Ohue Eiji
;
Tanabe Masamichi
;
Onai Takahiro
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
23.
Optimisation of a Link Base Implant for Reducing the Access Base Resistance of Single-Poly Quasi Self-Aligned Bipolar Transistors
机译:
降低单多晶硅准自对准双极晶体管的可访问基极电阻的链接基极植入物的优化
作者:
Vendrame L.
;
Gravier T.
;
de Berranger E.
;
Kirtsch J.
;
Laurens M.
;
Mouis M.
;
Chantre A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
24.
Large - Angle - Tilt - Implanted - Base (LATIB) for Walled - Emitter Bipolar Transistors
机译:
壁式发射极双极晶体管的大角度-倾斜-植入基极(LATIB)
作者:
Niel S.
;
Gravier T.
;
Granier A.
;
Grouillet A.
;
Kirtsch J.
;
Chantre A.
;
Vincent G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
25.
Application of silane-only selective epitaxy to the fabrication of fully self-aligned silicon bipolar transistors
机译:
硅烷选择性外延技术在完全自对准硅双极晶体管制造中的应用
作者:
Boussetta H.
;
Gregory H.J.
;
Bonar J.M.
;
Ashburn P.
;
Parker G.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
26.
Localized Lifetime Control in Bipolar Silicon Devices
机译:
双极硅器件中的局部寿命控制
作者:
Fallica P.G.
;
Raineri V.
;
Saggio M.
;
Letor R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
27.
On 1/F Noise in Polysilicon Emitter Bipolar Transistors: Coherence between Base Current Noise and Emitter Series Resistance Noise
机译:
多晶硅发射极双极晶体管中的1 / F噪声:基极电流噪声和发射极串联电阻噪声之间的相干性
作者:
Markus H.A.W.
;
Roche Ph.
;
Kleinpenning T.G.M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
28.
Influence of the Silicon Nitride Oxidation on the Performances of NCLAD Isolation
机译:
氮化硅氧化对NCLAD隔离性能的影响
作者:
Tixier A.
;
Senez V.
;
Baccus B.
;
Marmiroli A.
;
Carnevale G.P.
;
Colpani P.
;
Rebora A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
29.
Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference
机译:
第26届欧洲固态设备研究会议论文集
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
30.
MIS ÃÂÃÂuger Transistor
机译:
MISƒuger晶体管
作者:
Ostroumova E.V.
;
Rogachev A.A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
31.
3D Analysis of a Shallow Trench Isolated 0.25/0.25ÃÂÿm NMOS Transistor
机译:
浅沟槽隔离的0.25 /0.25μmNMOS晶体管的3D分析
作者:
Sallagoity P.
;
Vincent G.
;
Poncet A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
32.
Characterization and Matching Analysis of 50 nm-NMOS-Transistors
机译:
50 nm NMOS晶体管的表征与匹配分析
作者:
Horstmann J. T.
;
Hilleringmann U.
;
Goser K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
33.
Optimization of Hetero-FET Alloy Composition for Low Noise Applications in Millimeter-Wave Frequency Range
机译:
在毫米波频率范围内低噪声应用中的FET合金成分的优化
作者:
Abou-Elnour Ali
;
Schunemann Klaus
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
34.
Modelling of Gate Currents in MOSFETs Operating at Low Drain Voltages
机译:
在低漏极电压下工作的MOSFET的栅极电流建模
作者:
Chang M Y
;
Dyke D W
;
Leung C C C
;
Childs P A
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
35.
Inversion Layer Injection Devices - A New Class of Semiconductor Devices
机译:
反相层注入器件-新型半导体器件
作者:
Udrea F.
;
Amaratunga G.A.J.
;
Humphrey J.
;
Clark J.
;
Evans A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
36.
Determination of the Generation Lifetime in Si/SiGe/Si Epitaxial Layer Stacks Grown by MBE and LPCVD using Non Equilibrium Simultaneous HF/LF MOS CV Measurements
机译:
使用非平衡同时HF / LF MOS CV测量确定通过MBE和LPCVD生长的Si / SiGe / Si外延层堆叠中的生成寿命
作者:
Sorge R.
;
Heinemann B.
;
Zeindl H. P.
;
Lippert G.
;
Wolansky D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
37.
Hot Carrier Reliability Characteristics of Ultra Short Channel CMOSFET's
机译:
超短沟道CMOSFET的热载流子可靠性特性
作者:
Hwang Hyunsang
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
38.
Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors Having Titanium Disilicide Source and Drain Contacts
机译:
具有二硅化钛源极和漏极触点的低温多晶硅薄膜晶体管
作者:
Chang Sung-Keun
;
Kim Ohyun
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
39.
Ge
+
Dose Dependence of Electrical Characteristics in Germanium Ion-implanted Polycrystalline Silicon Films
机译:
Ge
+ sup>锗离子注入多晶硅薄膜电学特性的剂量依赖性
作者:
Kang M.-K.
;
Matsui T.
;
Wada K.
;
Kuwano H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
40.
Investigation of Hole and Electron Back Injected Tunneling Currents in a Poly-Silicon Emitter Complementary Bipolar Technology
机译:
多晶硅发射极互补双极技术中空穴和电子反注入隧穿电流的研究
作者:
Bashir R.
;
Hebert F.
;
Basile D.
;
Su D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
41.
Micromechanical Gas Heat Capacity Sensor
机译:
微机械气体热容量传感器
作者:
Frolov G. A.
;
Grudin O. M.
;
Katsan I. I.
;
Lupina B. I.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
42.
Dynamic Behavior of a-Si Devices for Flat-Panel Displays
机译:
平板显示器a-Si器件的动态行为
作者:
Colalongo L.
;
Valdinoci M.
;
Pellegrini A.
;
Rudan M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
43.
A Complete Simulation System for Active Matrix Flat Panel Displays
机译:
有源矩阵平板显示器的完整仿真系统
作者:
Rollins J. G.
;
Scrobohaci P.
;
Durbeck D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
44.
Copyright page
机译:
版权页
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
45.
Foreword to the Addendum
机译:
附录序言
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
46.
Author Index
机译:
作者索引
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
47.
Investigation on the Kink Effect in Poly-TFTs
机译:
多晶硅薄膜的纽结效应研究
作者:
Valdinoci M.
;
Colalongo L.
;
Baccarani G.
;
Fortunato G.
;
Pecora A.
;
Policicchio I.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
48.
Investigation of a-Si:H Density of States by Photo Induced Discharge
机译:
光诱导放电的a-Si:H态密度研究
作者:
Mariucci L.
;
Carluccio R.
;
Massimiani D.
;
Fortunato G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
49.
Excimer Laser Annealing Technology for Poly-Si Thin Film Transistors Fabrication
机译:
准分子激光退火技术在多晶硅薄膜晶体管制造中的应用
作者:
Kuriyama H.
;
Hamada H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
50.
The Recent Trends in a-Si:H Thin-Film Transistors Technology
机译:
a-Si:H薄膜晶体管技术的最新趋势
作者:
Ibaraki N.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
51.
High-performance a-Si: H TFT for Large-Area AMLCDs
机译:
高性能a-Si:用于大面积AMLCD的H TFT
作者:
Chen Chun-ying
;
Kanicki Jerzy
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
52.
Impact of Gate Recess Offset on Pseudomorphic HEMT Performance: A Simulation Study
机译:
闸门偏置对伪晶HEMT性能的影响:仿真研究
作者:
Asenov A.
;
Babiker S.
;
Cameron N.
;
Taylor M.R.S.
;
Beaumont S.P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
53.
Degradation of AlInAs HEMT Structures Induced by SiO
2
Mask Layer Deposition
机译:
SiO
2 inf>掩模层沉积引起的AlInAs HEMT结构的降解
作者:
Haddab Y.
;
Spicher J.
;
Beck M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
54.
Hot Electron Degradation of the DC and Microwave Performance of InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
机译:
InAlAs / InGaAs / InP HEMT的直流热电子降解和微波性能
作者:
Menozzi R.
;
Borgarino M.
;
Baeyeans Y.
;
Van Hove M.
;
Fantini F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
55.
Complementarity of Drain Current Transient Spectroscopy (DCTS) and G.R. Noise Analysis to Detect Traps in HEMTs
机译:
漏电流瞬态光谱法(DCTS)与G.R.噪声分析以检测HEMT中的陷阱
作者:
Saysset N.
;
Labat N.
;
Touboul A.
;
Danto Y.
;
Dumas J.M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
56.
Anomalous impact-ionization gate current in high breakdown InP-based HEMT's
机译:
高击穿基于InP的HEMT中的异常冲击电离栅极电流
作者:
Meneghesso G.
;
Manfredi M.
;
Pavesi M.
;
Auer U.
;
Ellrodt P.
;
Prost W.
;
Tegude F.J.
;
Canali C.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
57.
Optimization of the Reliability of 0.25 ÃÂÿm n-MOSFETs
机译:
0.25μmm-MOSFET的可靠性的优化
作者:
Hessler T.
;
Okhonin S.
;
Dutoit M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
58.
Impact of Profiled LDD Structure on Hot Carrier Degradation of nMOSFET's
机译:
异型LDD结构对nMOSFET热载流子降解的影响
作者:
Park Hoon-Soo
;
Kim Kwang-Soo
;
Park Sang-June
;
Oh Se-Joong
;
Lee Jung-Suck
;
Park Hun-Sub
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
59.
Analysis of Micropump Operation Using HDL-A Macromodels
机译:
使用HDL-A宏模型进行微泵运行分析
作者:
Voigt Peter
;
Wachutka Gerhard
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
60.
Poly Encapsulated LOCOS Lateral Isolation for 0.25 ÃÂÿm CMOS
机译:
用于0.25μmCMOS的多晶硅封装LOCOS横向隔离
作者:
Badenes Goncal
;
Rooyackers Rita
;
Deferm Ludo
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
61.
Hot-Carrier Reliability in n-MOSFET's Used as Pass-Transistors
机译:
n-MOSFET用作传输晶体管时的热载流子可靠性
作者:
Goguenheim D.
;
Bravaix A
;
Vuillaume D.
;
Varrot M.
;
Revil N.
;
Mortini P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
62.
Effects of Non-Degenerately Doped Polysilicon on the Hot-Carrier Reliability of Tungsten Polycide Gate PMOSFETs
机译:
非简并掺杂多晶硅对钨多晶硅栅极PMOSFET热载流子可靠性的影响
作者:
Lou C. L.
;
Chim W. K.
;
Chan D. S. H.
;
Pan Y
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
63.
Hot-Carrier Degradation and Oxide Charge Build-up in Self-Aligned Etched-Polysilicon npn Bipolar Transistors
机译:
自对准刻蚀多晶硅npn双极晶体管中的热载流子降解和氧化物电荷积聚
作者:
Neviani Andrea
;
Pavan Paolo
;
Tommasin Tiziano
;
Nardi Alessandra
;
Chantre Alain
;
Stucchi Michele
;
Vendrame Loris
;
Zanoni Enrico
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
64.
Analytical theory of gate-induced injection barrier modulation in compensated CMOS-compatible bipolar transistors
机译:
CMOS兼容双极型晶体管中栅极感应注入势垒调制的分析理论
作者:
Freund D.
;
Kostka A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
65.
Neural Networks for the Design and Reverse Engineering of BJTs
机译:
BJT设计和逆向工程的神经网络
作者:
Ferguson Ryan
;
Roulston David J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
66.
Excimer-Laser Crystallization of Silicon-Germanium
机译:
硅锗的准分子激光结晶
作者:
Ishihara R.
;
Ishikawa K.
;
Matsumura M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
67.
2-D Modeling of Electronic Noise in Semiconductor Devices
机译:
半导体器件中电子噪声的二维建模
作者:
Houlet P.
;
Bonani F.
;
Ghione G.
;
Varani L.
;
Aboubacar M.
;
Vaissiere J.C.
;
Nougier J.P.
;
Starikov E.
;
Gruzhinskis V.
;
Shiktorov P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
68.
The 1/f Noise Behaviour of Interface Engineered Polysilicon Emitter Bipolar Transistors
机译:
接口工程多晶硅发射极双极晶体管的1 / f噪声行为
作者:
Simoen E.
;
Decoutere S.
;
Cuthbertson A.
;
Claeys C.
;
Deferm L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
69.
A Straightforward Noise De-Embedding Method and its Application to High-Speed Silicon Bipolar Transistors
机译:
直接噪声去嵌入方法及其在高速硅双极晶体管中的应用
作者:
Aufinger K.
;
Bock J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
70.
Photon emission in deep submicron SOI MOSFETs
机译:
深亚微米SOI MOSFET中的光子发射
作者:
Renn S.-H.
;
Pelloie J.-L.
;
Balestra F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
71.
Analyses of Sub 1/4-Micron MOS-Transistors by Visible Light Emission
机译:
可见光分析亚1/4微米MOS晶体管
作者:
Muller J.
;
Wirth G.
;
Hilleringmann U.
;
Goser K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
72.
Selectively Grown Short Channel Vertical SI-P MOS Transistor for Future Three Dimensional Self-Aligned Integration
机译:
选择性生长的短沟道垂直SI-P MOS晶体管,用于未来的三维自对准集成
作者:
Behammer D.
;
Vescan L.
;
Loot R.
;
Moers J.
;
Zastrow U.
;
Luth H.
;
Grabolla T.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
73.
Recent Advances and Trends in SOI CMOS Technology
机译:
SOI CMOS技术的最新进展和趋势
作者:
Colinge Jean-Pierre
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
74.
Electroluminescence Imaging for Defect Characterization in InP based Optoelectronic Devices
机译:
基于InP的光电器件中缺陷表征的电致发光成像
作者:
Neitzert H. C.
;
Cappa V.
;
Massetti S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
75.
The Correlation between ESD Robustness and Design Parameters in Submicron CMOS Technology
机译:
亚微米CMOS技术中ESD鲁棒性与设计参数之间的相关性
作者:
Kwon K.H.
;
Lee K.H.
;
Park K.S.
;
Lim S.K
;
Kim B.G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
76.
Electrical and Thermal Local Effects Simulation for Electromigration
机译:
电迁移的电热局部效应模拟
作者:
Borgarino M.
;
Castagnini A.
;
De Munari I.
;
Fantini F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
77.
Improvements in the Electromigration Performance of an Aluminium-Copper Alloy Metallization by Optimization of the Copper Distribution
机译:
通过优化铜的分布来改善铝铜合金金属化的电迁移性能
作者:
Foley S.
;
Martin D.
;
Mathewson A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
78.
New 3D Polycrystalline Model of Electromigration Induced Voiding at Interconnect Vias
机译:
互连过孔中电迁移诱导空洞的新3D多晶模型
作者:
Ghiti A.
;
ONeill A. G.
;
Low K. S.
;
Trattles J. T.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
79.
A Capacitive Chemical Sensor based on Porous Silicon
机译:
基于多孔硅的电容式化学传感器
作者:
Schoning M. J.
;
Crott M.
;
Ronkel F.
;
Thust M.
;
Schultze J. W.
;
Kordos P.
;
Luth H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
80.
A Low Voltage Integrated Temperature Sensor
机译:
低压集成温度传感器
作者:
Alesii F.
;
Faccio M.
;
Ferri G.
;
Poduti C.
;
Stochino G.
;
DAmico A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
81.
Analysis of VOC in Soils with a Tin Oxide Multisensor System
机译:
氧化锡多传感器系统分析土壤中的挥发性有机化合物
作者:
Getino J.
;
Horrillo M.C.
;
Gutierrez J.
;
Ares L.
;
Robla J.I.
;
Garcia C.
;
Sayago I.
;
Rodrigo J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
82.
Array-Like Metal-Resistance-Semiconductor Photodetectors: Characterization and Modelling
机译:
像阵列一样的金属电阻半导体光电探测器:表征和建模
作者:
Zappa F.
;
Lacaita A.
;
Catuozzo M.
;
Gotra Y
;
Malakhov N.
;
Sadygov Z.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
83.
Integration of Porous Silicon Interference Filters in Si-Photodiodes
机译:
硅光电二极管中多孔硅干涉滤光片的集成
作者:
Kruiger M.
;
Berger M.G.
;
Marso M.
;
Thonissen M.
;
Hilbrich S.
;
Theib W.
;
Loo R.
;
Eickhoff Th.
;
Reetz W.
;
Grosse P.
;
Luth H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
84.
InAs/AlSb Dual-Gate HFETs with High Maximum Drain Bias
机译:
具有最大最大漏极偏置的InAs / AlSb双栅极HFET
作者:
Bolognesi C. R.
;
Dvorak M. W.
;
Chow D. H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
85.
Microwave Performance of HFETs on Metamorphic In
0.7
Al
0.3
As/In
0.8
Ga
0.2
As on GaAs Substrates
机译:
HFET在GaAs衬底上变质In
0.7 inf> Al
0.3 inf> As / In
0.8 inf> Ga
0.2 inf> As的微波性能
作者:
Karlsson Christer
;
Rorsman Niklas
;
Wang Shumin
;
Olsson Eva
;
Andersson Thorvald G.
;
Zirath Herbert
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
86.
0.2ÃÂÿm T-gate InP/InGaAs/ InP pHEMT with an InGaP diffusion barrier layer grown by LP-MOCVD using an N
2
-carrier
机译:
0.2μmT型门InP / InGaAs / InP pHEMT,具有通过使用N
2 inf>载体的LP-MOCVD生长的InGaP扩散阻挡层
作者:
Schimpf K.
;
Hollfelder M.
;
Horstmann M.
;
Marso M.
;
Hardtdegen H.
;
Kordos P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
87.
Current Transport in Double Heterojunction HEMTs
机译:
双异质结HEMT中的电流传输
作者:
Brech H.
;
Simlinger T.
;
Grave T.
;
Selberherr S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
88.
Reliable Complementary HIGFET Technology for High Speed/Low Power Applications
机译:
适用于高速/低功率应用的可靠互补HIGFET技术
作者:
Fawaz Hussein
;
Thiery Jean-Francois
;
Nluyen Linh
;
Delos Elisabet
;
Salmer Georges
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
89.
High Performance 0.1-ÃÂÿm-Self-Aligned-Gate GaAs MESFET Technology
机译:
高性能0.1μm自对准栅GaAs MESFET技术
作者:
Nishimura Kazumi
;
Onodera Kiyomitsu
;
Aoyama Shinji
;
Tokumitsu Masami
;
Yamasaki Kimiyoshi
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
90.
New Findings on Hot Carrier Effects in Bulk Silicon MOSFETs
机译:
体硅MOSFET热载流子效应的新发现
作者:
Szelag B.
;
Dutoit M.
;
Balestra F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
91.
Kinetics of Hot-Carrier Degradation of Submicron n-Channel LDD MOSFET's
机译:
亚微米n沟道LDD MOSFET热载流子降解的动力学
作者:
Okhonin S.
;
Hessler T.
;
Dutoit M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
92.
Annealing of Stress-Induced Interface and Border Traps in MOS Devices: A Charge-Pumping Study
机译:
MOS器件中应力诱导的界面和边界陷阱的退火:电荷泵研究
作者:
Autran J.L.
;
Flament O.
;
Chabrerie C.
;
Musseau O.
;
Leray J.L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
93.
Time-Domain Characterization of Lattice Heating in Power VDMOSFETs by Means of an Interferometric Laserprobe Technique
机译:
功率VDMOSFET中晶格加热的时域特征通过干涉激光探针技术表征
作者:
Seliger N.
;
Habas P.
;
Gornik E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
94.
Electromigration Failure in Thin Film Conductors a perspective
机译:
薄膜导体中的电迁移失效透视
作者:
Lloyd J.R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
95.
Impact of Fast Interface States on Effective Mobility of Heavily-Doped MOSFET's
机译:
快速接口状态对重掺杂MOSFET有效迁移率的影响
作者:
Perron L.
;
Lacaita A.
;
Guzzetti S.
;
Bez R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
96.
Hot-Carrier Thermal Conductivity for Hydrodynamic Analyses
机译:
用于流体力学分析的热载热导率
作者:
Brunetti R.
;
Golinelli P.
;
Reggiani L.
;
Rudan M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
97.
Low Temperature Dependence of the Device Parameters of Separate Absorption, Grading, Charge and Multiplication InP/InGaAs Avalanche Photodiodes
机译:
InP / InGaAs雪崩光电二极管的吸收,分级,电荷和倍增器件参数的低温依赖性
作者:
An S.
;
Deen M.J.
;
Tarof L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
98.
Use of Gain Non-Linearities in Two-Terminal Edge-Coupled InGaAs/InP Heterojunction Phototransistors
机译:
增益非线性在两端边缘耦合InGaAs / InP异质结光电晶体管中的使用
作者:
Van de Casteele J.
;
Vilcot J.P.
;
Gouy J.P.
;
Rolland P.A.
;
Decoster D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
99.
Novel MSM-2DEG PD/HEMT Photoreceiver for 10Gbit/s Operation
机译:
新型MSM-2DEG PD / HEMT光接收器,可实现10Gbit / s的运行速度
作者:
Horstmann M.
;
Muttersbach J.
;
van der Hart A.
;
Schimpf K.
;
Marso M.
;
Kordos P.
;
Luth H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
100.
Electric Field Dependence of Charge Build-up Mechanisms and Breakdown Phenomena in Thin Oxides During Fowler-Nordheim Injection
机译:
Fowler-Nordheim注入过程中薄氧化物中电荷积累机制和击穿现象的电场依赖性
作者:
Vincent E.
;
Papadas C.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1996. ESSDERC '96》
|
1996年
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