机译:使用固态石墨和硅源在硅上生长外延β-SiC膜
Heteroepitaxy; HFCVD; Negative bias; Silicon carbide;
机译:使用固态石墨和硅源在硅上生长外延β-SiC膜
机译:通过固体石墨和硅源的偏压辅助热丝化学气相沉积法在硅上外延生长β-SiC
机译:六角形甲醛结构SiC薄膜在硅底板上的生长,具有来自固体碳源的石墨碳碳纳米薄膜模板
机译:通过APCVD在4英寸直径(100)硅水中的3C-SiC膜的外延生长
机译:电子应用硅上外延3C-SiC薄膜的生长和表征。
机译:固碳源的石墨烯-石墨碳纳米薄片模板在硅基底上生长六方柱状纳米晶结构的SiC薄膜
机译:利用固体碳源石墨烯 - 石墨碳纳米薄片模板在硅衬底上生长六方柱状纳米晶结构siC薄膜
机译:外延氮化镓薄膜与硅基器件的生长与集成。