机译:HPHT Ib衬底与同质外延CVD金刚石层的界面特征
Interface features; Homoepitaxial diamond; Fluorescence property; Stress state; Growth mechanism;
机译:HPHT Ib衬底与同质外延CVD金刚石层的界面特征
机译:改进了由未掺杂同质外延CVD / HPHT Ib金刚石层组成的表面电极软X射线探测器的低压性能
机译:在离轴Ib HPHT衬底上生长的同质外延金刚石层中的结构缺陷
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在独立的大块m平面衬底上开发同质外延生长的GaN薄膜层
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:多层氮掺杂外延生长法制备的CVD单晶金刚石的界面和力学性能
机译:截面TEM和CL分析对衬底类型对CVD生长的同质外延金刚石层质量的影响
机译:CVD金刚石薄膜/基板界面的透射电子显微镜。