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机译:CF4 / Ar电感耦合等离子体中Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的刻蚀特性及机理
PZT; etch rate; electron temperature; dissociation; ion-assisted etching; MODULATED HIGH-DENSITY; CL-2/AR PLASMA; SURFACE KINETICS; CHLORINE PLASMAS; GLOBAL-MODEL; DIAGNOSTICS; POLYSILICON; DISCHARGES; SIMULATION; FLUORINE;
机译:CF4 / Ar电感耦合等离子体中Pb(Zr,Ti)O-3薄膜的刻蚀特性及机理
机译:Cl_2 / Ar和CF_4 / Ar感应耦合等离子体中Mo薄膜的刻蚀特性及机理
机译:HBr / Ar和Cl2 sub> / Ar电感耦合等离子体中TiO2 sub>薄膜的刻蚀特性及机理
机译:Cl_2 / C_2F_6 / Ar和HBr / Ar等离子体中Pb(Zr_xTi_(1-x)O_3薄膜的感应耦合等离子体刻蚀
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:感应耦合CF4 / Ar等离子体对TiN薄膜进行干法刻蚀
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性