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机译:通过快速热处理在Czochralski硅片中形成的剥蚀区内的氧气沉淀
ACTIVATION-ANALYSIS; BIPOLAR STRUCTURE; GROWN SILICON; NITROGEN; BEHAVIOR;
机译:通过快速热处理在Czochralski硅片中形成的剥蚀区内的氧气沉淀
机译:基于氮气氛下快速热处理的切克劳斯基硅片中氧沉淀物剥蚀区的形成
机译:在不同环境中进行两步快速热处理对切克劳斯基硅中裸露区和氧沉淀的影响
机译:Czochralski硅晶片快速热过程形成氮掺杂对剥离区的影响
机译:CZOCHRALSKI硅晶圆中的裸露区域。
机译:硅片上晶圆级抗反射3D分层结构的快速处理及其模板
机译:快速热处理对重型砷和锑的氧气沉淀的影响掺杂Czochralski硅
机译:Czochralski硅基板的快速热处理:缺陷,裸露区域和少数载流子寿命